單壁碳納米管獨特的結構，造就了其一系列優異的力學、電學和光學等性能，因此在諸多領域有着十分重要的應用價值。最近一系列的科學突破推動了單壁碳納米在場效應晶體管中的實際應用。因此，其被認為是未來有可能取代硅、推動碳納米電子學發展的一種非常有前途的材料。

有鑑於此，青島科技大學泰山學者優勢特色學科團隊、化學與分子工程學院的何茂帥教授與北京大學張錦院士團隊一起，對單壁碳納米管水平陣列的可控制備、組裝，表徵以及潛在應用等進行了系統的總結。從單壁碳管的生長機制出發，分析了單壁碳納米管催化生長的活化機制、成核熱力學和生長動力學，隨後介紹了近二十年來單壁碳納米管在定向生長、直徑、導電性、乃至手性控制生長等方面取得的一系列進展，並簡要概括了單壁碳納米管的組裝方面取得的成果，進而介紹了在單壁碳納米管表徵技術的應用，主要包括光學表徵和電子/探針鏡表徵手段等。最後，結合單壁碳納米管的應用，對碳納米管的發展前景進行了展望：

（1） 單壁碳納米管的可控合成、機制研究及表徵依然有大量問題亟待解決；

（2） “殺手鐗”級應用對高品質單壁碳納米管材料的合成提出了更高的要求；

（3） 目前單壁碳納米管的研究正處於Gartner Hype Cycle曲線中的上升期，任重而道遠。

該文以青島科技大學為第一單位，以“Horizontal Single-Walled Carbon Nanotube Arrays: Controlled Synthesis, Characterizations, andApplications”為題，作為封面文章，發表在學術期刊Chemical Reviews(120, 12592-12684 (2020), IF = 52.758)上。該研究得到國家自然科學基金（51972184），山東自然科學基金（ZR2019ZD49）的資助支持。

論文鏈接：//pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.0c00395

（撰稿：陶亞亞；審核：楊小明）